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PE100等离子刻蚀系统

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PE100RIE等离子刻蚀系统

PE100RIE系统是以一个高强度真空室为基础,真空室内的电极可对几乎所有的材料进行处理,并屏蔽真空室内的静电以保护样品。

PE100RIE等离子刻蚀系统


特点:

    等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲,等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室,气体被导入并与等离子体进行交换,等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式,这种设计的是富有弹性的,用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法:反应性等离子体(RIE),顺流等离子体(downstream),直接等离子体(directionplasma)。

    PE公司的等离子蚀刻系统在各个行业应用中表现优异。我们在控制离子密度,电子温度,和等离子体电位等核心技术上拥有丰富的实际经验,通过几个关键技术,可以保证获得非常均匀的等离子体蚀刻的效果。

    我们的系统是以一个高强度真空室为基础,真空室内的电极可对几乎所有的材料进行处理,并屏蔽真空室内的静电以保护样品。空气或气体通过控制阀进入室内,与样品进行反应,所产生的废气通过真空泵迅速抽离。所使用的气体的类型取决于蚀刻工艺。四氟化碳(CF4)和氧气是常用的气体腐蚀。

    等离子体应用强大的RF(射频)系统产生13.56MHz电极的电磁场。通过射频发生器产生的振荡的电场和电离作用,气体分子获得剥离的电子。正离子因为电压差会移向样品,然后与被蚀刻的样品碰撞,并与有机材料在样品表面化学反应。离子还可以通过转移它们的动能来去除某些物质。电子以震荡的形式在真空室内运动,多余的电子会被室壁吸收,因为是室壁是接地的,所以他们能被安全的导出设备。

    等离子体处理可应用于所有的基材,甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化和清洗。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低,因此,低压等离子体也能处理敏感性材料。






RIE系统刻蚀效果取决于气体的流量,压力和功率设置等方面。
我们设计和制造的反应性离子蚀刻系统,可以满足客户的任何需要,且可以根据客户的要求定制适合的等离子系统。我们的等离子处理系统,以提供快速,高品质的蚀刻,低损伤,提供无与伦比的均匀性而著称。

12英寸腔体,6寸平板可冷却电极
13.56MHz射频电源300W
质量流量控制器:O-50cc(连续可调)
Pirani真空计:0-1Torr
控制器:微机控制系统用3“触摸屏显示存储1个完整的工艺配方
真空泵:8CFM氧气
耐用铝合金真空腔体


等离子刻蚀机的典型应用包括:

等离子体清除浮渣光阻材料剥离表面处理各向异性和各向同性失效分析应用材料改性包装清洗钝化层蚀刻聚亚酰胺蚀刻增强粘接力生物医学应用聚合反应混合物清洗预结合清洗


我们的等离子蚀刻机是理想的干蚀刻,目前正在采用的蚀刻:


半导体/集成电路
氮化镓(甘)
氮化铝镓/氮化镓(AlGaN/GaN)
砷化镓/砷化铝镓(一般反避税条款/algaar)
砷化镓(GaAs)
磷化铟、铟铝砷/铟镓砷化物(InPInGaAs/InAlAs)
硅(硅)
硅锗(SiGe)
氮化硅陶瓷(Si3N4)
硅的溴化氢(sihbr)
硒化锌(ZnSe)
金属
铝(铝)
铬(铬)
铂(铂)
钼(钼)
铌(铌)
钽(钽)
钛(Ti)
钨(钨)
电介质
铟锡氧化物(ITO)
锆钛酸铅(PZT)
碳化硅(碳化硅)
塑料/聚合物
聚四氟乙烯(PTFE)
聚甲醛(POM)
聚苯并咪唑(PBI)
聚醚醚酮(PEEK)
聚酰亚胺(聚酰亚胺)
聚酰胺(尼龙)
全氟烷氧基烷(PFA)



聚全氟乙丙烯(FEP)
聚烯烃
聚酯
失效分析

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